ROHMs SiC-MOSFET kommt im Zuge der Weiterentwicklung von HVDC-Architekturen in einer BBU für KI-Server zum Einsatz
KYOTO, Japan, 10. Juni 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. gab bekannt, dass sein SiC-MOSFET mit 750 V in einer BBU (Battery Backup Unit) für KI-Server-Netzteile eingesetzt wurde. Mit dem Aufkommen der generativen KI verlagern sich die Stromversorgungssysteme von KI-Servern auf höhere Spannungen und gehen rasch zu HVDC-Architekturen (Hochspannungs-Gleichstrom) über. In diesem Umfeld wurde das Bauelement von ROHM als SiC-Leistungshalbleiter ausgewählt, der Stromversorgungssysteme der nächsten Generation unterstützt.
Abbildungen: Produktmerkmale
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Da die generative KI eine höhere GPU-Leistung und einen steigenden Stromverbrauch in Rechenzentren vorantreibt, bewegt sich die Branche in Richtung HVDC-Architekturen, um Verluste bei der Stromübertragung zu verringern. In diesen Hochleistungs- und Hochspannungsumgebungen spielen BBUs und CUs (Kondensatoreinheiten) eine zunehmend wichtige Rolle beim Schutz von Systemen auf Rack-Ebene bei Stromausfällen oder kurzzeitigen Unterbrechungen.
Bei dem eingesetzten Produkt handelt es sich um den „SCT4013DLL", einen SiC-MOSFET mit 750 V, der im Stromversorgungsbereich einer Stromversorgungsarchitektur für KI-Server mit +400 V/−400 V eingesetzt wird. Dank der Eigenschaften von SiC bietet dieses Produkt eine hohe Temperaturtoleranz mit einer maximalen Sperrschichttemperatur (Tj) von 175 °C, was einen stabilen Betrieb selbst in BBUs ermöglicht, in denen die Wärmeentwicklung mit steigender Spannung und Leistungsdichte zunimmt.
SCT4013DLL: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices/sic-mosfet/sct4013dll-product
Bei den 800-VDC-Stromversorgungsarchitekturen der nächsten Generation beträgt die Versorgungsspannung für das Batteriepack in der BBU etwa 560 V. Aus diesem Grund können die SiC-MOSFETs von ROHM mit einer Nennspannung von 750 V auch in diesen Systemen eingesetzt werden.
KI-Server-Stromversorgungen der nächsten Generation erfordern Backup-Systeme, die hohe Spannungen und große Ströme unmittelbar und mit minimalem Leistungsverlust steuern können. SiC-Leistungshalbleiter werden voraussichtlich eine Schlüsselrolle in diesen Systemen spielen.
Mit Blick auf das anhaltende Wachstum in den Märkten für KI-Server und Rechenzentren wird ROHM die Entwicklung und Bereitstellung von Leistungshalbleitern auf Basis von SiC, GaN und Silizium weiter verstärken. ROHM wird außerdem zu einer höheren Energieeffizienz und zur Verwirklichung einer nachhaltigen Gesellschaft beitragen, indem das Unternehmen diese Leistungshalbleiter mit analogen ICs und anderen Technologien kombiniert.
Weitere Informationen finden Sie auf der ROHM-Website für SiC-Leistungshalbleiter, darunter „Einfache Suche", Design-Ressourcen und verwandte Inhalte:
Einfache Suche: https://www.rohm.de/products/sic-power-devices/sic-mosfet#easyPartFinder
Dokumente und Artikel zu den SiC-MOSFETs von ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606040358-O3-Sa1y2kVk.pdf
Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-06-03_news_sic-mosfet&defaultGroupId=false
Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606040358-O2-IKMX4af8.pdf
Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202606040358/_prw_PI2fl_365W01aV.jpg
Offizielle Website: https://www.rohm.com/
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